AI+X-Ray技术方案解决产品内部缺陷检测难题

开管射线源具有焦点尺寸小、放大倍率高、成像效果好的特点，主要应用于高精密工业检测。纳米级开管射线源通过控制电子束，观察芯片内部深层缺陷，成为支撑半导体制造业继续向更小、更复杂、更集成方向发展的关键质控工具。据日联科技相关人士向上证报记者介绍，全球能独立研发和生产高性能纳米级开放式X射线源的公司。日联科技自2012年就成立了基础研发团队，十年如一日，通过上千次实验、工艺调整，完成极其精密的电子光学系统搭建。日联科技基础研发团队通过对基础理论、关键材料、复杂制备工艺等技术掌握，实现靶材镀膜、焊接技术等全流程工艺可控，完成了开放式射线源技术自主与创新突破。

据悉，目前，UNOS系列160kV开管射线源已经形成标准化生产流程，实现批量生产，奠定了日联科技在工业检测行业中的龙头地位，在技术路线选择和市场竞争中占据了更主动的战略地位。

以日联开管X-RAY半导体智检装备AX9600为例，传统装备在第三代半导体缺陷识别精度与失效分析瓶颈，保证了0.8μm级缺陷全捕捉、纳米级成像及质控全流程闭环；采用日联自研160kV开放式微聚焦X射线源，超大几何放大倍率，高清晰实时成像，完成半导体产品爬锡高度、连锡、虚焊、漏焊、短路等封装缺陷和空洞、裂纹等内部结构缺陷检测；强穿透能力搭配高放大倍率，可轻松完成3D/系统级封装、IC压焊等工艺中多种类缺陷检测，以及捕捉TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）工艺中微小对象的纤细细节。

同时，该设备还搭载自研160kV开放式微聚焦X射线源，可轻松穿透厚密材质，适用于检测高密度集成电路和第三代半导体（SiC、GaN）的内部结构缺陷；最高可实现2000倍几何放大倍率，结合微焦点X射线源，可实现最小0.8μm高精度检测，清晰呈现比头发丝细100倍的芯片内部结构，完成纳米级缺陷分析；完整2.5D可实现360°XY检测，解析隐藏在芯片底部的焊点空洞或互连桥接、断裂等缺陷。